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    高壓LDMOSFET降低體內場技術的研究

    時間:2020-06-11來源:西華大學作者:瀏覽:151設置

    主題:高壓LDMOSFET降低體內場技術的研究

    人:胡夏融

    時間:202061910:00-11:00

    地點:騰訊會議

     

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    內容:

    功率半導體是電子裝置電能轉換與電路控制的核心,被廣泛應用于汽車、通信、消費電子和工業領域。MOSFET在功率半導體器件中占比最高,具有廣闊的市場前景。本報告主要介紹高壓LDMOSFET降低體內場技術球赛直播时间表2020。高壓LDMOSFET主要利用半導體的單向導電性實現電源開關的功能,其關鍵問題在于如何滿足高擊穿電壓下的低功耗需求球赛直播时间表2020,從而改善器件及功率集成電路的整體性能。降低體內場技術是通過在器件的襯底引入埋層,使耗盡層在縱向進一步展寬,器件的體內電場尖峰也進一步降低從而避免了提前擊穿。降低體內場技術提高了器件的耐壓,從而改善了擊穿電壓和比導通電阻的矛盾關系。

    主講人簡介:

    胡夏融,男,博士,20137-至今在西華大學從事微電子學與固體電子學方向的教學和科研工作球赛直播时间表2020。研究方向主要包括功率半導體器件的設計和建模,智能功率集成電路設計。以第一作者身份現已發表論文10篇,其中SCI論文6篇球赛直播时间表2020。承擔微電子、信息球赛直播时间表2020、通信等專業的本科生課程10門。負責四川省教育廳項目等縱向項目3項球赛直播时间表2020。

    地址:中國·四川·成都市 西華大學(610039)

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